环境友好型BaTiO3/FeBSi、Fe:BaTiO3及 Fe:BaTiO3/FeBSi多铁性薄膜的研究

被引量 : 0次 | 上传用户:single654321
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
多铁性材料是一类同时具有(反、亚)铁磁、(反)铁电、铁弹中两种或两种以上铁性有序,并且不同铁性序参量之间存在耦合的多功能材料,其具有丰富的物理内涵及广阔的应用前景,是当前的研究热点之一。多铁性材料按组成分类,可分为单相和复合多铁性材料,单相多铁性材料为人们展现了丰富的物理内涵,但遗憾的是其居里温度太低或磁电耦合较弱,难以在实际应用中发挥作用;复合多铁性材料的可设计性比较强,人们在其中获得了巨磁电耦合系数,取得了突破。本文先把高磁导率、高压磁系数的铁磁/磁致伸缩材料FeBSi与广泛研究的环境
其他文献
自碳纳米管被发现以来,人们对纳米管的研究已经有了大量的工作。由于纳米管具有许多优良的特性,如特殊的直接电子传递能力和生物相容性等,因而在纳米器件、纳米催化、纳米传
固体氧化物燃料电池(SOFC)作为一种新能源技术,具有环保洁净高效等优点,已经受到世界范围的关注。在800-1000 ?C运行的高温SOFC对材料的选择,相邻材料之间的热匹配和化学相容性,电极的烧结和电池的机械性能等要求较高,在500-800 ?C运行的中温固体氧化物燃料电池(IT-SOFC)可以降低这些要求以降低成本,但是运行温度的降低将导致阴极的极化电阻成为内阻的主要来源,因此研究适用于IT-
近年来,稀磁半导体(DMS)作为半导体自旋电子学的基础而受到广泛关注。研究者希望通过控制半导体中的电子自旋提高传统半导体技术,使之成为高处理速度、低能量损耗的非易失性存储器的基础。众多研究者在稀磁半导体领域做了大量的工作并取得可喜的成果,但是关于磁性起源的研究仍然没有大的突破。针对此问题,本文采用离子注入、磁控溅射及离子束溅射的方法制备了Fe(Cu、Cr)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体薄膜样品,分析
高K材料由于其在MOS器件中可代替SiO2已经成为当前的研究热点之一。稀土金属氧化物也是栅介质层的候选材料之一。本文主要研究氧化铥(Tm2O3)、氧化铒(Er203)薄膜在硅衬底、锗