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石墨相氮化碳因无毒、环保、稳定性高、生物兼容性好且具有独特的电子结构成为一种很好的可见光催化材料。然而,纯的g-C3N4由于其光致电子空穴对的复合率高而大大限制了其光催化效率。众多学者通过制备二到三种复合型半导体来提高其光催化效率及太阳光的利用率。本课题通过使用不同的方法合成g-C3N4/CdS复合材料及制备g-C3N4/C/CdS的石墨相氮化碳基三元复合材料,旨在提高石墨相氮化碳的光催化及光电性能。主要包括:(1)采用一种新型、简单的原位法制备g-C3N4/CdS异质结,先使用软化学的方法在氮化碳