基于NPB的肖特基栅有机静电感应发光晶体管的研究

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静电感应有机发光晶体管(SIT-OLET)是将有机静电感应晶体管(OSIT)与有机发光二极管(OLED)结合在一起的器件,可利用栅极来控制其发光强度。它具有沟道电阻小、响应速度快、发光效率高的优点。本文制备了基于NPB的SIT-OLET,并研究了其光电性能及工作原理。通过改变栅极形状、修饰中间栅极及加入电子传输层等,分析了这些因素对以Alq3为发光层的晶体管器件的影响。首先,优化了晶体管各传输层的厚度,制备了片状栅极的SIT-OLET,发现它的发光亮度不够。经分析,是中间片状栅极减弱了发光亮度。其次,我们制备了具有条状栅极和网状栅极的SIT-OLET。器件的发光强度有所提高,但栅压对载流子的控制作用不理想。经分析,是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大,势垒区耗尽层远小于沟道宽度,栅压起不到明显的调控作用。为了提高器件的光电性能,我们把中间栅极在80℃的空气中热氧化处理0.5 h,发现降低了器件的漏电流,开/关电流比为由原来的2.5提升至9,亮度开/关比由原来的5提高至13。另外,在中间栅极靠近源极一侧镀了绝缘层LiF,降低了漏电流,器件的“开/关”电流比提高至14,亮度开/关比提升至10。最后,在漏极与发光层之间加入一层C60,既作为电子传输层,也可作为空穴阻挡层,平衡了器件中的载流子,开/关电流比提高至47,亮度开/关比提高至97。
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