【摘 要】
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随着高功率微波的发展,微波输出功率越来越高,输出窗烧毁的问题越来越突出。本文通过对高斯场的近场分布特性分析得到高斯口面分别的场在一定条件下近场分布的呈下降趋势,可
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随着高功率微波的发展,微波输出功率越来越高,输出窗烧毁的问题越来越突出。本文通过对高斯场的近场分布特性分析得到高斯口面分别的场在一定条件下近场分布的呈下降趋势,可以利用这个特性把输出窗设计成半球壳形或者帽形,可以解决输出窗烧毁的问题。本文还通过并矢格林函数的方法来分析半球壳形的输出窗对高斯口面场的远场辐射图的影响;通过两次近场计算的方法分析帽形输出窗对高斯口面场远场辐射图的影响,分析了利用等相位面构成凸型、凹型和凹凸结合型的输出窗对辐射图的影响,还分析了不同类型的输出窗对馈源的增益和3db范围内的能量的影响。最后得出了一个由两个等相位面构成的输出窗作为高斯分布的口面场输出窗的解决方案。
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