太赫兹波处于电子学向微观光子学的过渡阶段,兼具微波辐射与光波辐射的双重特性,因而在太赫兹通信、太赫兹雷达、太赫兹检测等方面具有广阔的应用前景。太赫兹放大器作为太赫兹收发前端的重要组成部分,其作用在于对发射和接收的信号进行放大。本文对国产InP DHBT（双异质结双极型晶体管）开展了小信号建模、太赫兹放大器单片设计研究,并对太赫兹单片封装技术进行了研究。主要研究内容包括:（1）InP DHBT小信号模型研究。针对国内InP DHBT太赫兹模型缺乏的现状,根据0.25 μm InPDHBT工艺的测试数据对小信号模型进行参数的提取和拟合优化,最终小信号模型在0.1-40GHz全频带多偏置点上与实测S参数达到了良好的拟合结果,并为之后的放大器单片设计奠定基础。（2）太赫兹放大器单片设计。鉴于国内缺少性能优良的太赫兹频段放大器单片,本文分别在220 GHz、320 GHz两个关键频段设计了两款太赫兹单片放大器,包括功率合成放大器和小信号放大器,同时采用“单元整体法”的设计思路,克服了偏置电路和射频通路在太赫兹频段分别仿真引入的失配问题。（3）太赫兹单片封装技术研究。1)针对金丝键合在太赫兹频段寄生效应明显、损耗较大以及倒置共面波导装配难度大的问题,提出一种倒置微带线封装结构,该结构不仅不需要金丝连接,而且装配难度较小。测试结果表明,该结构在110-170 GHz内的单端插入损耗为0.9-1.8 dB。2)针对微带线-单片金丝键合方式在太赫兹频段损耗较大的问题,本文对不同的过渡结构以及金丝键合连接方式进行了研究,同时设计了多款不同频段的E面探针-共面波导过渡结构,并采用共面波导-单片金丝键合的连接方式对相应的无源结构进行了装配和测试,测试结果表明,共面波导-单片金丝键合型封装结构在110-170 GHz、210-270 GHz内的单端插入损耗分别为0.45-1.75 dB、0.9-2.3 dB。3)为了进一步研究太赫兹单片封装技术,分别采用不同的封装形式和不同的封装结构在66-115 GHz、110-170 GHz、210-270 GHz频段对放大器芯片进行模块研制,以此来验证和比较倒置微带线结构、微带线-单片金丝键合型封装结构、共面波导-单片金丝键合型封装结构的性能。其中基于倒置微带线结构封装的放大器模块,在120-170 GHz内的单端封装损耗在1.1 dB以内,这也是现有公开文献中首次报道采用倒置微带线结构封装的太赫兹放大器模块。