近年来，由于原子级纳米器件的制作受到越来越多的关注，该领域成为了半导体物理和现代工业中的研究热点。人们对原子级尺度的异质外延的生长方式、物理特性以及量子特性(例如电子自旋态在原子尺度表面上的分布状态)进行广泛的研究。硅作为一种非常重要的半导体材料，有着显著的优势。在此类研究中，由于Si(5512)表面周期较大(5.35 nm)，且具有一维对称性，能够形成平整的表面重构，所以Si(5512)表面适合作为In纳米线的生长模板。　　本文利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)进行研究。分别观察了室温至400 ℃时In吸附在Si(5512)表面上的STM图像，通过对于图像的研究得知In的吸附方式随温度的变化而发生改变。温度变化时，In的吸附方式分别为：顶层吸附、表层混合、表层替换。本文的侧重点在于对吸附方式、原因分析以及成像原理的阐述，运用空态的STM图像和满态的STM图像的成像原理就450 ℃时的In吸附在Si(5512)表面上的吸附方式和In原子链产生断点的原因，进行系统的分析。另外，为了后续的计算，根据In吸附在Si(5512)表面上的STM图像，提出了三种周期下的原子结构模型，并且在每个周期又分别提出了四种不同的结构模型。