近年来,传统二氧化硅显示器的小型化和磁储存设备的储存密度已接近其技术和物理极限,具有开关性质的分子基材料因其在分子开关、单分子磁体和分子逻辑门的潜在应用价值和可解决,受到了广泛地关注和研究。自旋交叉材料作为一类典型的具有开关性质的分子基材料,在不同的自旋态下会产生不同的磁性和力学性质,且其自旋态易受外界因素,如光、电、热、磁场和溶剂分子的影响,因而受到广泛地关注。人们逐渐实现了自旋交叉配合物与其它性质,比如磁有序、液晶、主客体化学、荧光以及电学性质等方向的耦合,以期望制备出更多新颖的多功能自旋交叉配合物。考虑到自旋交叉化合物的潜在实用性,电子状态的变化引起的电学信号相比磁学和光学信号易被检测和适合器件设计等特点,研究人员逐渐开始了自旋交叉化合物电学性质的研究。我们将自旋交叉-半导体材料这一体系作为研究对象,以TCNQ自由基阴离子作为导电单元,选取不同的自旋交叉中心和配体,得到了多个结构新颖的双稳态化合物,研究了外界因素对这些化合物的自旋交叉和导电行为的影响。本论文的主要研究内容如下:(1)单核二价钻体系中自旋交叉和半导体行为的研究。合成了一例TCNQ-CO(ⅡI)化合物,其在整个温度范围内展现出不完全的自旋转变行为并在室温附近展现出Ea = 175.4 meV的半导体行为,且其电子在TCNQ分子上的非均等分布。(2)单核二价铁体系中自旋交叉和半导体行为的研究。选取了一系列辅助抗衡阴离子,合成了两个不同的TCNQ-Fe(Ⅱ)化合物,在常压下均展现出完全的自旋交叉行为和优异的半导体性能,并且其半导体活化能在自旋交叉范围内发生了Ea=98.7 meV(LS)到152.2 meV(HS)明显的变化,这可能来自于自旋交叉引起的TCNQ·δ三聚体之间的明显滑移。