近年来,应用于可穿戴和生物电子的柔性和可拉伸的光电器件得到广泛的关注。基于GaN基高亮度发光二极管(HPLED)和微发光二极管(Micro-LED)柔性显示器成为未来极具前景的研究方向。LED芯片小型化的具备高效率长寿命高分辨率等优势,但随着尺寸变小,工艺制造和柔性化转移更加复杂。同时由于自热效应,LED工作时会产生大量的热,这降低了器件的量子效率和可靠性。因此降低LED的自热效应一直是LED在高亮度和集成化应用中的难点。本论文立足于GaN基柔性LED的制备与理论建模,系统研究了压电电子学效应对LED弯曲状态下的光学、电学和热学性能的调制特性。本论文的主要研究工作由下面三个部分组成:1.GaN基LED器件制备与柔性化运用微纳加工工艺制备了硅衬底上的InGaN/GaNMQWLEDs,并运用深硅刻蚀工艺减薄了LED的硅衬底,实现了器件的柔性化。同时研究了LED的柔性转移技术,制备了一种LED转移后的水凝胶柔性基底。2.压电光电子学效应调制GaN基柔性LED系统研究了柔性弯曲的过程中外应力对柔性LED自热效应、发光强度、电学特性的影响,并且首次证明了压电光电子学效应有效地抑制了自热效应。与传统的LED相比,施加0.1%的外部应变时,LED的发光强度提高了26.6%,工作温度在施加6V和7V的偏置电压的情况下分别降低了50.00%和47.62%。3.柔性GaN基LED的理论模型基于压电光电子学效应的基本原理,运用压电本构方程、薛定谔方程、泊松方程、费米黄金定律建立了自洽耦合模型。该模型系统地讨论了外部应变感应的压电势对柔性LED中载流子的产生,传输,分离和复合的影响,分析了柔性LED弯曲受力状态下的光电特性的物理机理,给出了GaN基柔性LED的实验结果的理论证明。