Nand Flash是目前消费性电子产品中被广泛使用的元件之一。由于Nand Flash的物理机构特点，容易发生错误，如何保证数据的可靠性，成为一项重要的研究课题。采用纠错码(Error Correction Coding,ECC)的纠错控制技术是目前提高闪存数据可靠性的关键技术之一，而BCH码和低密度校验码LDPC码(Low-DensityParity-Check codes)是目前被广泛应用在闪存上的纠错码。本文对BCH码和LDPC码在Nand Flash上的编译码技术进行了研究，对未来高性能纠错码码纠错芯片有着重要的意义。本文的主要工作概括为：1.概述了Nand Flash基本结构和传统的闪存存储技术，详细分析了NandFlash错误机制和错误衡量标准，并阐述了闪存的基本纠错机制。2.深入研究了BCH编译码思想和构造方法，探讨了闪存电压概率分布，将闪存电压状态作为BCH硬判决算法输入信息进行译码，用BCH译码算法改善闪存数据可靠性问题，并通过仿真分析了BCH码对Nand Flash可靠性的改进。3.深入研究了LDPC码软判决最小和译码算法，该算法可以有效地利用闪存LLR信息来提高闪存系统的译码性能，通过仿真表明该算法有效的提高了闪速存储系统数据的可靠性，同时由于该算法的复杂度相对较小，对Nand Flash的读写速度也有一定程度的提高。