自上世纪70年代以来,日本学者本田和藤岛将二氧化钛用于光电催化水转化为H2和O2后,半导体光催化剂技术被广泛的应用于光催化分解水产氢。然而,传统的半导体例如Ti O2仅能吸收占太阳光总量不到4%的紫外光,很大程度上限制了其在光催化分解水技术上的应用。因此研究和开发利用对可见光响应的催化剂,是目前解决此问题的手段之一。金属硫化物材料由于其可以利用可见光,光催化性能较好和低成本等原因而成为最有前途的候选材料。其中,CdS作为一种窄带隙硫化物半导体,对可见光有良好的响应,且价带位置满足半导体分解水产氢的条件,因此在可见光照射下表现出了优异的光催化产氢性能。然而CdS的应用仍受到一定的限制,因为它具有硫化物共有的缺点:光腐蚀严重、光生电子和空穴对的复合率高。通过在光催化过程中可加入牺牲剂能够有效改善光腐蚀;而对于光生电子和空穴的复合,已经采用一些方法如染料光敏化,负载助催化剂,构建异质结等方法。因此本论文主要围绕着改善光腐蚀及光生电子-空穴的复合,对CdS半导体的改性做了以下工作:1.采用透析以及水热法制备的RB-NH-HA@CdS光催化剂。与纯CdS和RB-NH2@CdS相比,RB-NH-HA@CdS在可见光照射下表现出显著增强的光催化活性。由于通过引入荧光聚合物染料组分RB-NH-HA来直接改性的CdS的润湿性。通过接触角测试以及荧光测试表明RB-NH-HA@CdS具有亲水性和光学特性的双重促进作用,能够促进光诱导载体的转移和分离,且在光敏化程中,能够产生基态以及激发态的电子,这种情况下为光生载流子的迁移提供了更多传输路径,从而提高光生电子和空穴的分离效率。2.利用一步溶剂热法制备CdS NRS@Ni Silicate复合材料。通过SEM、XRD以及TEM表征等一系列表征,证明成功制备了CdS NRS@Ni Silicate复合光催化剂,而且该合材料性能的提高可能归因于负载Ni Silicate作为助催化剂,促进了光生电子和空更好的分离,而且Ni Silicate作为保护层,有效的抑制了CdS的光腐蚀,从而提高了光催化分解水产氢效率。3.采用沉淀法制备了AgVO3/CdS（x%）复合光催化剂。通过SEM、TEM、BET以及XRD等一系列表征,证明成功制备了AgVO3/CdS（x%）复合光催化剂。当负载AgVO3量为3%时,AgVO3/CdS（3%）样品的光催化产氢性能最优。这可能是由于负载AgVO3后,增大了比表面积。因此能够为光催化反应提供更多的反应位点。同时p-n异质结的构建大大提高了光生电子-空穴的分离效率,从而使光催化剂具有更高的光催化产氢活性。