金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)是用于大量制备半导体器件、GaN薄膜、半导体激光器的一种技术。是半导体行业的用于生长微纳米级薄膜的主要设备之一。MOCVD设备按照功能可以分为反应腔，加热器，气体输送系统，控制检测系统和尾气处理系统。其中MOCVD反应腔是MOCVD设备中最重要的部分，其流动模式往往决定了设备质量的好坏。本文首先简要的介绍了MOCVD系统的组成以及分类，阐述了国内外MOCVD反应腔的研究现状，分析了典型的垂直式和水平式反应腔体的优缺点，介绍了计算流体力学的基本知识和控制方程。其次，介绍了两种很好的圆周均流结果，并命名为缓冲式互补均流结构和变向式均流结构，通过模拟仿真得出了两种圆周均流结果的最优参数，提出了两种圆周均流结构的设计准则，并对容差进行了分析。最后，介绍了喷淋结构的均流效果，首先在圆周分配均匀的情况下分析了其径向均匀性，探讨了各项结构参数对径向均匀性的影响。为了实现圆周均匀进气的假设，提出了设计圆周分配环的设计方法。结合实物对喷淋结构的设计进行了验证。