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目前兆瓦至百兆瓦级大容量电力电子装置受限于传统晶闸管换流技术，普遍存在如下几个问题，其中包括开关频率比较低、谐波较高、体积也比较大、动态相应不好、易产生换相失误等缺点。虽然中小容量的电力电子技术发展较为成熟，但是，现代的电力电子技术最终也会进入到大容量电能转换应用领域。 本论文进行的是整晶圆IGBT半导体器件方面的研究，提出基于一种隔离失效器件单元的整晶圆IGBT冗余设计思想的3300V整晶圆IGBT芯片的设计方法，并将这种结构设计方法结合工艺进行流片，本文围绕着3300V整晶圆IGBT芯片研制工作展开论述。 本论文的主要工作如下： 1、从半导体功率器件概述和IGBT的发展历程的角度出发，说明整晶圆大容量IGBT的研究必要性和研究意义。 2、对IGBT器件的结构及基本工作原理进行分析讨论，然后结合IGBT器件的电学特性提出一种3300V整晶圆IGBT器件的元胞优化设计和终端优化设计，并确定元胞的尺寸参数，再根据优化前流片测试的结果提出了两套解决方案，利用不同的两套版图优化设计实现整晶圆大容量GBT芯片的电学特性。 3、对上述两套版图流片结果进行对比测试分析研究，对所研制的两套3300V整晶圆IGBT芯片进行了静态参数测试。发现两套版图优化方案的效果较为理想，都基本达到了预期结果。但是其中第二套版图方案（16个完全相同且独立的IGBT区域）只有部分区域有电学特性，也说明目前整晶圆IGBT工艺还需改善，提高其良品率。