本文采用磁控溅射方法制备Ni-Mn-In磁性形状记忆合金薄膜。通过对比不同衬底上薄膜的分离方式和分离效果,系统研究Ni-Mn-In合金薄膜与衬底分离技术,确定获得高质量无约束Ni-Mn-In合金薄膜的制备工艺。在此基础上,采用能谱分析、原子力显微镜观察和示差扫描热分析等方法,阐明制备工艺对无约束薄膜化学成分、表面形貌、晶化行为的影响规律。此外,从电子层次上揭示掺杂Co对Ni-Mn-In合金磁性质及马氏体相变的影响机理。通过比较研究多种制备无约束Ni-Mn-In合金薄膜的方法发现,采用磁控溅射技术在光刻胶衬底制备Ni-Mn-In合金薄膜,利用光刻胶与丙酮相溶的性质将制备在光刻胶衬底上Ni-Mn-In合金薄膜分离下来,是获得高质量无约束Ni-Mn-In合金薄膜的有效途径。研究表明,溅射工艺与无约束Ni-Mn-In薄膜的表面形貌有密切联系。薄膜的表面粗糙度随溅射功率增大而增大,但受溅射时间影响小。随溅射功率的增大,Ni、Mn和In的含量几乎不变。此外,溅射时间对Ni、Mn和In的含量影响很小。在获得无约束薄膜基础上,首次阐明了 Ni-Mn-In合金薄膜的晶化行为。研究发现,Ni-Mn-In合金薄膜的晶化温度在400℃左右。随升温速率增大,晶化曲线的峰值向高温移动。通过Kissinger方程,确定了 Ni-Mn-In合金薄膜的晶化激活能。采用第一性原理计算发现,Ni-Mn-In-Co的饱和磁矩随Co含量增加而增大。随着Co取代Ni含量的增加,母相顺磁态与铁磁态的总能量差增大,这是导致居里温度升高的内在原因。此外,随Co含量增加,母相的相稳定性增强,从而引起马氏体相变温度降低。