根据最新的国际半导体技术路径图(ITRS)，浸没式ArF(氟化氩)光刻是实现特征尺寸(CD，Critical dimension)45nm及以下技术节点最有潜力的候选技术之一。浸没式ArF光刻虽然可以使数值孔径(NA，Numericalaperture)大于1，但仍然无法满足45nm节点光刻分辨率的要求。分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology)成为推动光刻技术前进的主要推动力。分辨率增强技术主要包括相移掩模技术(PSM，Phase Shifting Mask)、离轴照明技术(OAI，Off Axis Illumination)和邻近效应校正(OPC，Optical Proximity Correction)。为了解决图形失真问题、提高图形分辨率和提高芯片的良率，分辨率增强技术的开发和应用日益成为光刻界研究的热点。　　 本文研究了光刻分辨率增强技术的综合应用并提出了一种新分辨率增强技术。首先进行了传统ArF光刻结合分辨率增强技术实现65nmDRAM的研究，通过对不同分辨率增强技术特点的分析，给出了适用于65nmDRAM的最佳分辨率增强技术组合方案。其次进行了45nm浸没式光刻分辨率增强技术在DRAM图形和Five-bar图形的相关应用及偏振对光刻性能的影响研究。在传统分辨率增强技术组合的研究基础上，研究了Y偏振对焦深的影响。利用自编光刻仿真辅助程序进行了多极照明相关研究以及跨周期图形的分辨率增强技术研究。结果表明，对于图形方向一致的线条图形来说，弧带状双极照明是实现45nm节点DRAM最好的选择，而交替式相移掩模结合小相干因子照明光刻性能也能满足45nm节点DRAM的要求。同时进行了Five-Bar图形的邻近效应校正研究，并对抗蚀剂中的成像进行了分析。最后，对复杂的对接图形分辨率增强技术的应用进行研究并在国际上率先提出了相移式邻近效应校正的方法。相移式邻近效应校正技术的提出，在单掩模单曝光条件下成功解决了对接图形的成像问题，既可以有效的修正了线端缩短效应，又提高了抗蚀剂中图形的陡度，提高集成电路的质量。　　 在光刻分辨率增强技术本身进行研究的同时，还开发了光刻辅助仿真程序。程序的不同模块分别实现了离轴照明函数的生成和优化功能，离轴照明技术与相移掩模技术的优化组合选取以及多周期图形分辨率增强技术参数优化等功能。该程序适用于光刻90-45nm节点的分辨率增强结束协同优化设计的需求，是国内最先适用于纳米尺度光刻仿真的软件程序。