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PCRAM主要是利用相变存储材料非晶态与晶态结构转变之间的电阻值差进行数据的存储。目前PCRAM对于材料的要求也日趋严格,比如提高材料性能,减小尺寸,实现多级存储,降低阈值电压等,这些都对相变材料的基础性能研究提出了更高的要求。原位下研究相变薄膜材料的动态相变过程对于PCRAM的开发制备具有重要意义。本论文以原位透射电子显微学技术结合特殊的电学性能测试平台,针对磁控溅射方法制备的含不同金属掺杂元素(Zn、Ag)的GeSbTe薄膜,开展了原位相变动态过程的研究,并探讨了材料性能与结构之间的关系,具体的