基于SiC MESFET射频功率放大器研究

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近年来,随着无线通信和微电子技术的发展,现代通信正朝着大容量、多载波、多电平、宽频带和较高峰均比的方向发展。这些发展无疑对无线通信设备的设计提出了更高的要求。射频功率放大器作为发射机的核心部件,它占据了整个系统大部分功耗。因此提高射频功率放大器的效率问题成为研究整个射频系统构建的关键。本文主要对射频系统的关键模块“功率放大器”展开研究与设计,首先通过比较经典功率放大器与开关模式放大器的特点和工作原理,得出开关模式放大器具有更高效率的优越性;其次,对并联电容和并联电路两种开关模式E类放大器的设计参数,分别进行了理论推导与讨论,选择并联电容结构E类功放。设计E类功率放大器电路结构时,本文提出使用SiC MESFET管的寄生输出电容代替E类放大器拓扑中的并联电容,并且采用了谐波抑制短截线匹配网络,该网络既实现了阻抗变换,而且还很好的抑制了谐波,同时使用多目标联合优化的系统设计方法,有效地权衡了各个参量之间的特性。最后,使用SiC MESFET CREE CRF24010模型完成了E类功率放大器设计,并通过ADS进行了仿真验证。
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