层状过渡金属二硫化物（TMDs）是一类二维半导体材料。TMDs的半导体性质引发了人们对二维材料的研究热潮,也为研究更窄沟道和更薄的晶体管提供了可能。到目前为止,MoS₂连续薄膜的合成是一个难题,尤其是具有大晶粒尺寸的连续膜的合成。本论文围绕MoS₂连续膜的制备及特性方面进行了研究。通过化学气相淀积（CVD）法制备MoS₂膜,制备的样品均匀性较好,单层MoS₂的厚度为0.7nm,单层MoS₂的拉曼峰位差为18.2～19.5cm^-1。使用PVT方法制备MoS₂连续薄膜,采用光学显微镜、拉曼光谱、PL谱和扫描电子显微镜对其进行了表征。使用CVD法研究了生长温度、生长时间、载气流速、Mo源温度对MoS₂薄膜生长的影响。并且对参数进行优化,通过CVD法制备了具有大晶粒尺寸的连续MoS₂膜,连续膜是通过合并三角形和六边形单晶而形成,并且晶界比较少。连续膜的最佳参数是Mo O₃粉末的温度为800℃,蓝宝石衬底的温度为1000℃,载气流速为150sccm。采用Mo O₃和衬底分离的方法是因为相对低的Mo O₃粉末温度（同时保持衬底温度在1000℃）可以降低蒸发速率并可以为衬底表面上的原子扩散提供足够的时间,较高的衬底温度会降低成核密度,利于单晶晶畴的增大,该生长条件生长的MoS₂为六边形。MoS₂六角形单晶的平均尺寸较大,边长尺寸在200μm以上。通过优化CVD的最佳参数制备了大单晶畴尺寸的连续膜,连续膜的尺寸达到英寸级。使用制备的大晶粒尺寸的MoS₂连续膜制备背栅极场效应晶体管。将生长在蓝宝石衬底的MoS₂薄膜转移至Si O₂/Si衬底。使用光刻法制造背栅MoS₂基MOSFET,并研究其电特性。MoS₂薄膜导电类型为n型。基于MoS₂连续膜的背栅晶体管电流的开关比约为10⁴。MoS₂沟道的场效应迁移率约为10cm²/V·s,高于通过化学气相沉积在Si O₂衬底上制备的MoS₂膜,但低于机械剥离的层状MoS₂薄膜,目前的迁移率可能受衬底效应和局部静电环境的影响。使用两步法在前期制备的MoS₂单晶畴薄膜上再生长WS₂,制备MoS₂-WS₂异质结。WS₂多生长在三角形MoS₂边缘,主要原因是边缘有一些毛刺和二次成核的MoS₂作为WS₂成核点。