【摘 要】
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该论文在以下几方面做了系统工作:1、用射频溅射法制备了单层的FeCuCrVSiB薄膜样品,样品进行适当的退火处理后,形成纳米晶结构.研究了退火温度、有效磁导率、交变电流频率和
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该论文在以下几方面做了系统工作:1、用射频溅射法制备了单层的FeCuCrVSiB薄膜样品,样品进行适当的退火处理后,形成纳米晶结构.研究了退火温度、有效磁导率、交变电流频率和磁场对纳米晶FeCuCRVSiB薄膜的巨磁阻抗效应的影响.2、制备Cu和Ag为夹层的三明治结构.将样品在各种温度下进行退火处理,形成不同退火态样品,研究样品的结构和GMI效应,研究三明治结构的GMI与电流频率和磁场的关系.3、研究了磁场退火处理对CoFeNiNbSiB薄带GMI效应的影响,主要研究不同磁场退火感生的各向异性对GMI效应的影响.我们的结果表明CoFeNiNbSiB是一种极好的GMI材料,采用适当的退火方式,可以得到满足不同需要的高灵敏度的GMI效应.这样优异的GMI特性在以往的报道中是少见的.这些结果也说明,综合磁场退火热处理是获得优异GMI效应的有效办法.
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