针对现有无序体系电子输运理论的不足，考虑了电子和声子、外场的相互作用，建立了EPF(electron-phonon-field)电子隧穿电导模型，推导了一维无序体系新的直流、交流电导公式。通过大量的数值计算，系统地分析了无序体系的直流和交流电导特性。就无序度、温度、外加电场、体系格点数等物理量对直流、交流电导的影响进行了详细的讨论。计算结果表明，无序体系在低温区出现了负微分电阻特性，电导率有极大值存在，极大值对应的温度随体系的不同而改变。在极大值对应温度以下的低温区，电导率随温度的升高而变大；而在其以上的高温区，电导率又随温度的上升而下降。无序体系直流电导率随外场的变化而变化，电导率—电压变化曲线中可能出现一系列的峰值或台阶，这与电子发生共振隧穿有关。交流电导率随外场频率的增加而近似线性的增大。无序度不同，电导率—频率曲线的斜率不同。无序度较小时，电导率与频率更趋向于线性关系；无序度较大时，电导率曲线在高频区出现一些振荡。无序度对无序体系的电导影响明显：当外场电压或频率不太高时，在低温区，无序度越小，体系的电导率越大。在高温区，适当增大无序度，有利于电子共振隧穿条件的形成，提高体系的电导率。但是如果无序度过大，电导率又会变小。体系格点数也是影响无序体系电导的一个重要因素：对于直流电导，外场电压一定时，不同格点数体系的电导率曲线相交于一点。在相交点温度以下，格点数大的体系的直流电导率较大；而在相交点温度以上，情况相反。温度一定时，在低电压区，格点数大的体系的电导率明显大于格点数少的体系。但在高电压区，两者电导率相差很小：对于交流电导，外场频率一定时，交流电导随格点数的变化规律和直流电导类似。温度一定时，电导-频率曲线的斜率随体系格点数的不同而不同，格点数越小，斜率越大。 作为建立的无序体系电子跳跃电导理论的应用，研究了具有非周期性结构的纳米体系的hopping电导规律。建立了一维纳米随机链模型，选取两组不同的参数：晶界原子畸变参数D和晶粒尺寸参数S，研究了晶界原子畸变和晶粒尺寸等因素对纳米体系电导的影响。纳米体系同样出现了负微分电阻特性。直流电导率随外场电压的变化而变化，交流电导率随外场频率的增加而近似线性的增大。晶界原子畸变和晶粒尺寸对纳米体系的交流电导有重要的影响。纳米体系的电导率随晶界原子畸变程度的增加而减小，随着晶粒尺寸的增大而增大。