钙钛矿作为新兴的优异半导体材料,在光电探测、激光、光伏、辐射探测领域均具有广泛的应用。而单晶钙钛矿由于其独特优良的光电特性制备的单晶钙钛矿的器件通常比基于其相应微晶、多晶的器件具有更加优异的光电性能。但是对于钙钛矿单晶的微纳加工面临的主要挑战是:溶液法制备卤化物钙钛矿功能纳米材料,还没有实现低成本、大面积、可控的高质量一维微纳单晶钙钛矿结构阵列的制备,本实验室利用特有的技术手段—浸润可控诱导组装技术,通过修饰微柱,改变表面浸润性,控制晶体生长位置和生长方向,已实现大面积、低成本、高效率、高精度和高结晶度的一维微纳阵列制备,并研究微纳结构阵列制备的光电器件性能。主要成果如下:研究工作的关键是创造不对称的润湿性的界面以使连续液膜断开。在拉普拉斯压力的驱动下,相邻界面之间的毛细流动有助于形成尺寸和形状均一的毛细管桥,形成一维单晶。在修饰过的长条形硅柱模板上,针对不同的钙钛矿材料如Cs Pb Br₃、MAPb Br₃、FAPb Br₃,选择不同宽度的模板,通过调节前驱体溶液的浓度以及配制前驱体溶液的溶剂,来控制液体的成核方向和位置,制备纵向毛细管液桥阵列,借助荧光显微镜,扫描电镜,透射电镜等对FAPb Br₃单晶钙钛矿阵列进行了表征,制备的单晶微米线阵列结晶度高、规则排列、陷阱密度为3.38×10¹³ cm^-3,寿命为200 ns以上,制备的光电探测器展现了10⁴的亮暗电流比,达到了3 AW^-1的响应度。