红荧烯分子在半金属表面的生长

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【摘要】

：

随着纳米科学技术的发展,对纳米结构的表征变得极为重要。扫描隧道显微镜不但可以提供实空间的原子分辨,人们还可以利用它的扫描隧道谱功能对费米能级附近局域电子态密度进行测量,因此已经成为纳米科技领域一个重要的研究手段。在本论文中,我们利用扫描隧道显微镜(STM)和扫描隧道谱(STS)研究了红荧烯分子在半金属表面的形貌特征和生长方式。论文取得的主要成果如下：(1)在红荧烯薄膜中我们发现了一类新的相变：分子

【作者】

：

兰梦

【机构】

：

西南大学

【发表日期】

：

2011年03期

【关键词】

：

红荧烯公度-非公度相变(HC-WI) 转动外延质量密度波(MDV) 应力释放

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