有机硅单体是有机硅工业的基础和支柱，通常采用Rochow反应合成，氯甲烷和硅粉在流化床反应器内、铜系催化剂作用下反应可直接生成有机硅单体(MC)，该反应包含多种副反应，主产物为二甲基二氯硅烷(DMDC)，但存在反应效率低、环境污染的问题。一体式流化床膜反应器可实现反应过程与气固分离的同时进行，从而减少气固分离产生的环境污染问题，但该膜反应器用于Rochow反应过程时，尚需进行优化流化状态，以提高反应和膜分离效率。流化床的气体分布板是影响流化效果的主要因素，本文首先构建三维数值模拟模型来优化分布板结构，然后考察分布板构型对Rochow反应的影响，最后在优化后的膜流化床内研究催化剂形貌、温度及Si粉粒径、气速等因素对反应效率和膜性能的影响。主要研究进展如下:　　三维数值模型的建立与实验验证。采用三维CFD模拟计算方法，考察了网格数量、曳力模型选择及校正等因素对数值模拟结果的影响，并用实验值对模型进行了验证。结果表明:随着网格数量的增加，床层压降的模拟值逐渐趋于平稳并接近理论计算值，当网格数量超过20 W时，模拟计算结果准确度的提升效果不明显，选择20 W作为计算网格数量;气固两相流模拟过程中常用的Wen-Yu模型、Gidaspow模型及Syamlal-OBrien模型得到的曳力值小于实验值，不能准确描述本反应体系的实际过程，在气速高于临界流化速度时均不产生流化现象;基于临界流化速度、静床堆积体积分数等研究体系实验值对Syamlal-OBrien模型进行校正，计算得到流化床内颗粒浓度场及轴向速度分布情况，模型计算所得的分布板之上高度为0.05 m处颗粒体积分数模拟值与实验值误差在2％以内，表明修正的曳力模型能够较好的描述本研究体系的流化状态。　　气体分布板构型优化及对Rochow反应的影响。利用建立的曳力模型，考察了分布板开孔率及开孔数量对漏料现象、分布板压降及流化床内颗粒分布的影响，对分布板构型进行了优化;考察了分布板构型对Rochow反应中DMDC选择性及Si粉转化率的影响。结果表明:在开孔率为5.92％时，分布板发生明显的漏料现象，降低开孔率3.33％时，漏料现象得到控制;开孔率降低能够明显提升分布板压降，从而使分布板稳定性得到提升，监测点处颗粒体积分数径向分布波动频率及幅度均有明显下降;分布板死区面积随着开孔率的降低有明显上升，不利于流化床内的传质、传热，开孔数量的提升能够在保证分布板稳定性的同时，明显抑制死区面积的上升。因此选择开孔率为0.53％，开孔数量为19为最佳分布板构型。在温度为315℃、压力为0.2 MPa采用三元铜催化剂进行Rochow反应，分布板构型的优化能够显著提升DMDC选择性及Si粉转化率，使DMDC收率由优化前的38.03％提升至45.32％。　　有机硅单体合成反应过程研究。考察了CuCl催化剂形貌、反应温度、气速、Si粉粒径等对DMDC选择性及Si粉转化率的影响。结果表明:在315℃时CuCl催化剂形貌对Rochow反应效果影响不大，DMDC选择性与Si粉转化率分别为84％以上和42％左右，均没有三元铜催化剂的催化效果好;以球形CuCl作为催化剂，当反应温度从315降至300℃时，Si粉转化率降至32.6％，但DMDC选择性提高至90％，反应时间从420min延长至620 min，陶瓷膜表面滤饼层由2 mm下降至0.2 mm;在气速为1.1倍的临界流化速度，Si粉粒径从200μm降至70μm时，催化剂带出现象得到缓解，但DMDC选择性及Si粉转化率下降至76.8％及24.3％;在气速为1.56×1O-2m/s，Si粉粒径由200μm降至110μm时，催化剂带出量升高，使得Si粉转化率下降了11个百分点，但DMDC选择性可维持在90％左右，且反应前期反应速率得到提升。