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本文首先对国内外电致变色薄膜和稀土系薄膜的研究进展进行了评述。在此基础上，着重研究了用直流磁控溅射技术，在真空中，在玻璃、ITO玻璃和Si片等基体上溅射富镧、富铈、La和Y薄膜的可能。分析了稀土系薄膜在低真空条件下制备失效的原因，并对制备的稀土薄膜在反复充放氢过程中结构、电化学性能和光学性能变化进行了研究。 通过反复研究，确定了在实验中采用的磁控溅射系统中制备稀土系薄膜的最佳工艺参数，发现衬底温度150℃，溅射氩气的气压为4.5×10~(-1)Pa时比较适宜。溅射过程中，