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氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN, AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长发光二极管(LED),半导体激光器(LD)方面有极其重要的科研价值与应用价值。然而,p型GaN的载流子浓度偏低,电阻偏大一直是GaN材料在制备大功率LED和LD方面应用的瓶颈之一。另一方面,GaN材料的湿法刻蚀也是一个重要的研究课题。湿法刻蚀具有设备简单,操作方便,所用化学药品毒性小,对GaN材料损伤小等优点,可以作为干法刻蚀的补充。本论文围绕上面所述两个方面,进行了如下工作：1.利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上制备了Mg掺杂GaN薄膜,并在不同的温度下,N2气氛下进行退火。X射线衍射测试(XRD)显示生长的GaN薄膜具有很好的晶体质量。在800℃的退火条件下,可以得到载流子浓度为6.84×1017cm-3,电阻率为0.73Ω·cm,迁移率12.5cm2/(V·s)的样品。通过低温光致发光(PL)谱测试,在未退火样品观测到了3.27eV的发光峰和3.18eV的发光峰,分别为浅施主能级到Mg受主能级的跃迁和浅施主能级到Mg替位Ga (MgGa)受主能级的跃迁。在退火的样品中观测到了2.85eV附近的Mg掺杂GaN的典型蓝光发光带。2.采用光电化学刻蚀(PEC)的方法对非故意掺杂GaN和p型GaN单层薄膜进行了刻蚀,结果表明非故意掺杂GaN材料发生了刻蚀而p型氮化镓没有发生刻蚀,这是因为GaN材料与刻蚀液接触面产生能带弯曲存在势垒导致的。通过改进的PEC刻蚀方法实现了对全结构LED绿光外延片的p型层的刻蚀,并在此基础上通过PEC方法刻蚀绿光外延片并压制电极,测量了器件的开启电压约为2.9V。