硅的纳米结构是一种优异的半导体材料,具有化学、物理及力学等性能。它的光致发光性能使得硅纳米结构的光集成电路有望成为现实。本文对金属辅助化学法制备硅纳米线结构进行了研究,并对硅纳米线阵列的光学性质进行了探讨,主要工作如下：1采用化学刻蚀法制备硅纳米线阵列,通过改变反应溶液的浓度,刻蚀时间,刻蚀温度等参数,获得制备硅纳米线阵列的最佳参数。基于此,对化学刻蚀法的机理进行了分析,并得到了一种制备硅纳米孔洞的方法。2对硅纳米线阵列的簇状结构的形成进行了分析,认为稳定性是簇状结构形成的重要决定因素。3晶体硅是间接带隙半导体,不能发光,而硅纳米线阵列结构是直接带隙半导体,有良好的光学性质,通过扫描电镜以及荧光光谱仪等的测试,对硅纳米线阵列发发光的机理进行了探讨。4紫外可见分光光度计对硅纳米线阵列和硅纳米孔洞结构的测试,发现硅的纳米结构具有很好的减反射效果,我们对此进行了分析,这种性质有望在光伏产业方面有很好的应用。