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电子注入增强型栅极晶体管IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor)是由IGBT发展而来的。1994年由日本东芝公司开发成功。由于IEGT具有比IGBT更强的通流能力,可用于大功率领域。目前,只有日本的东芝、日立、三菱以及瑞士的ABB公司在研发该类产品,国内尚无开发。本文较为系统地分析了IEGT的结构特点,工作原理及其特性。先利用ISE软件分析了平面栅IEGT(P-IEGT),沟槽栅IEGT(T-IEGT)以及带有阻挡层的T-IEGT的IE效应,模拟了三种结构在常温和高温下的导通特性、阻断特性及开关特性,提取了P-IEGT和T-IEGT优化设计的结构参数。最后,讨论了P-IEGT的高温闩锁效应,并设计了其高压终端结构。主要研究内容如下：首先,介绍了IEGT的结构特点、工作机理及其各项特性,分析了IE效应的产生机理及IEGT的安全工作区(SOA)。第二,研究了结构参数对IE效应的影响。结果表明,随着栅极长度增加,P-IEGT的IE效应逐渐增强并趋于稳定,通态压降降低,关断时间延长；沟槽的深度和宽度的增加都会使T-IEGT的IE效应增强,通态压降降低；阻挡层的厚度和浓度的增加会导致T-IEGT器件IE效应增强,通态压降下降。第三,模拟了IEGT的各项特性。结果表明,FS层浓度和厚度、集电极厚度、n+发射区的长度、少子寿命等参数强烈地影响IEGT器件通态特性和开关特性。沟槽深度和宽度,以及阻挡层的浓度的增加都会影响T-IEGT器件的阻断电压下降和峰值电场转移,并增加T-IEGT的输入输出电容。第四,讨论了高温对IEGT关键特性参数的影响。结果表明,随温度升高,阻断电压是先增大后减小,通态压降先减小后增大,闩锁电流会明显下降。第五,设计了P-IEGT的高压终端结构。结果表明,场环和场板结合使用不仅可以提高IEGT的表面击穿电压,还可节省芯片面积。并且,在每级场环之间设置场板效果更好。