针对纳米多孔氮化镓(GaN)在材料生长中的应用，本文开展了纳米多孔GaN材料的制备，并对于纳米多孔GaN材料的结晶质量和光学特性进行了研究。考虑到制备过程中干法刻蚀会给GaN表面带来损害，为此我们还对采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀刻蚀的GaN膜的刻蚀损伤进行了表征，并且首次采用了高温退火和氮等离子体相结合的方法对于刻蚀造成的损伤进行了回复。获得的主要结果有： 1．采用电子束蒸发和电化学氧化相结合的方法制备出厚度为几十到几百纳米、孔径为几十纳米并且孔径大小和分布都均匀的阳极氧化铝(AAO)薄膜。 2．采用AAO薄膜作为掩模，通过ICP刻蚀得到与掩模图形相同的多孔GaN材料。重点研究了刻蚀气体的影响。 3．与通常的薄膜材料相比，紫外光荧光(UV-PL)谱、Raman散射谱和X射线衍射(XRD)谱的测试结果都证明了纳米多孔GaN的表面应力得到了释放。 4．GaN薄膜的PL谱和霍尔迁移率测试结果表明，ICP刻蚀会对被刻蚀GaN材料表面带来很大损伤，表面粗糙度增加，材料的电学和光学特性变差。 5．采用高温热退火和氮等离子体处理相结合的方法，能够有效的改进被刻蚀材料的电学和光学特性，从而使刻蚀损伤在一定程度上得到修复。回复效果较只采用单项工艺有明显的改进。受损GaN的回复过程与GaN的典型分子束外延(MBE)生长过程相似。