忆阻器（Memristor,MR）作为第四种电路基本元件,具有纳米级体积和低功耗的优点,在集成电路设计中具有很大优势。本文研究了一种磁通控制型忆阻模拟器电路,推导了忆阻值与磁通之间的数学关系。利用该忆阻模拟器构建以电压为逻辑量的逻辑门电路,以及一种频率和占空比可控的多谐振荡器电路,并将其应用到脉冲序列控制DC-DC变换器中。首先,设计了一种新型浮地二值忆阻器模拟电路,研究了其忆阻值的变化机理,构建了电压为逻辑量的与门、或门逻辑忆阻电路和电压比较忆阻电路。电路仿真和实验验证的结果表明,该忆阻模拟器的特性符合忆阻器的本质特征,逻辑门与比较器的输入、输出结果符合该类器件的功能要求。第二,针对脉冲序列（Pulse Train,PT）控制Buck变换器的低频振荡问题,研究了一种基于忆阻逻辑电路的电感电流反馈脉冲序列控制（IC-PT）方法。电路仿真和实验验证的结果表明,忆阻模拟器构建的逻辑门电路可以在开关变换电路的控制电路中正常工作,该电感电流反馈型脉冲序列控制方法可以抑制PT控制Buck电路低频振荡现象,提高Buck变换器的暂态响应速度。第三,利用忆阻模拟器的二值特性设计了一种占空比和频率可调的多谐振荡器电路,在此基础上设计了一种可根据逻辑信号控制发出多种不同占空比矩形波的多谐振荡器电路,将设计的振荡器电路应用于脉冲序列控制电路中,大大简化了其控制电路。该论文有图43幅,表13个,参考文献97篇。