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该论文主要内容分为四章,是为了配合美国3D-ROM公司关于3D-ROM的研究与开发.非晶硅二极管是3D-ROM的重要组成部分,它性能的好坏,决定了3D-ROM能否实现EPROM(电可擦除只读存储器)及单位面积存储容量的大小.该文主要内容分为四章,首先在第一章介绍了非晶硅薄膜二极管的发展现状和特点,并简要介绍了可研究的方向.第二章对作为二极管衬底电极的ZnO材料进行了研究,详细介绍了ZnO的导电机理和制备方法,解释了ZnO材料在二极管中的重要作用.第三章先对PECVD法沉积非晶硅薄膜的机理进行了系统的研究,然后详细阐述了非晶硅二极管的制备和工作原理.第四章运用了大量的数据分析了结构形式、i层厚度、p-i层间的buffer、氢稀释和晶化程度以及衬底对二极管特性的影响.