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自2008年以来,很多学者致力于忆阻器相关研究,尤其是在忆阻器纳米器件、建模、仿真和应用等方面取得了显著成果。目前,国内对忆阻器的研究也取得了许多成果,但是,与国外研究相比,忆阻器的研究模型较为单一,主要是以HP公司的非线性模型为主,在其它类型忆阻器的制造、建模、仿真和应用等方面仍然存在较大差距。因此,本文主要研究了忆阻器的几种数学模型建模和电路模拟,利用有源忆阻模型构造出结构简单的混沌电路,对该电路的动力学特性进行了分析,并通过电路实验予以验证。本文介绍了课题的背景和意义,通过对国内外研究