掺杂型β-Ga2O3光电性能及铑基合金力学性能的第一性原理研究

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本文利用基于密度泛函理论第一性原理计算方法的CASTEP模块,系统研究了Nb掺杂β-Ga_2O_3的光电性质,以及高压下铑基合金(Rh_3Nb、Rh_3Sc)的结构与力学性能。首先,利用含超软赝势的第一性原理方法系统研究了Nb掺杂β-Ga_2O_3的结构和光学性质。计算结果表明,Nb掺杂β-Ga_2O_3的晶格常数和晶胞体积与其他理论和实验值接近,并且都比本征β-Ga_2O_3的计算值大。Nb掺杂β-Ga_2O_3的形成能计算结果表明,Nb原子替位八面体位Ga(B)原子的掺杂形成能较低。能带结构表明
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