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近20多年来,微结构气体探测器(MPGD)经历了许多发展。其中比较成功的一种就是厚型气体电子倍增探测器(Thick Gaseous Electron Multiplier,THGEM),它具有价格低廉、增益较高、极好的抗打火性能、制作简单且易于大面积制作,因此人们对它有很多细致入微的研究,也取得多方面的应用。THGEM探测器是在双面覆有铜膜的PCB板上先钻孔,然后通过蚀刻工艺使孔边沿露出较小的绝缘环(rim),这种结构在国内的PCB工厂就可以完成。本文基于国内PCB厂研制出陶瓷、FR4(环氧树脂)、PTFE(聚四氟乙烯)和Kapton(聚酰亚胺)共四种基材THGEM,且四种基材THGEM都有相同的几何参数,用能量为5.9 ke V的X射线源55Fe对它们分别都做了增益、长期稳定性和能量分辨率等方面的性能测试。其中,详细的介绍了陶瓷THGEM对中子的探测,对于5层陶瓷基材板来说,THGEM中子探测器的探测效率好于12%,位置分辨为2.95mm,γ射线排斥比为4.6‰。并研制出一种最为精细的THGEM,激光打孔THGEM,它的孔径100um,孔间距300um,板厚100um,双层激光打孔THGEM在Ar+i C4H10=97:3的工作气体中最高增益接近5×104,能量分辨率好于24%,并能长期稳定的工作。为探测0.1~50Me V低能电子脉冲束流的位置分布,研制基于国产厚型气体电子倍增器(THGEM)的二维位置探测器,位置分辨好于200um,灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150um,孔间距400um,厚度100um。用能量为5.9 ke V的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益,单层最大增益好于1×104,双层最大增益好于6×104,能量分辨率好于23%。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响,用Garfield模拟了电子雪崩的横向扩散,根据模拟结果,优化了探测器的结构和设计。