环三磷腈星型液晶的合成及性能研究

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以环三磷腈为核的星型液晶的设计合成一直备受关注,诸多文献主要探讨环三磷腈液晶化合物中不同的中心桥键以及柔性链的长度对环三磷腈化合物液晶行为的影响。本论文设计合成了3个新型的以环三磷腈为核的星型化合物,以及其分别对应的液晶基元。并利用红外光谱(IR)、核磁共振波谱(1HNMR)对化合物的结构进行表征,然后通过热台偏光显微镜(POM)和示差扫描量热法(DSC)对化合物的液晶行为进行研究。本文对进一步扩大环三磷腈衍生物的研究有积极的推动作用,期望通过基础的理论研究寻找到性能优异的液晶材料。  1.通过液晶基元4-(4-乙酰氧基苯甲酰胺)苯酚与六氯环三聚磷腈直接进行亲核取代反应,生成酰胺星型化合物N3P3(OC6H6-NHCO-C6H6-OOCCH3)6,利用红外光谱对酰胺星型化合物和液晶基元结构进行了表征,并通过热台偏光显微镜(POM)、示差扫描量热仪(DSC)对目标产物的液晶性能进行测试。结果表明:酰胺星型化合物和液晶基元均为向列型液晶,液晶相温度范围为分别为:100℃~168℃、85℃~130℃。  2.合成了含有噻二唑环以环三磷腈为核的星型化合物N3P3(OC6H6-CH=N-SN2-C6H6-OR)6(化合物4a、4b)及液晶基元HOC6H6-CH=N-SN2-C6H6-OR(化合物5a、5b),利用红外光谱和核磁共振波谱对其分子结构进行了表征,并通过示差扫描量热仪(DSC)和偏光显微镜(POM)对化合物的液晶行为进行分析。研究结果为:升温过程中,化合物4a、4b、5a均表现出两种不同的液晶织构,其液晶相变区间(熔点~织构转变温度~清亮点)及液晶织构分别为:180℃~214℃~223℃,片状、层现状织构;185℃~167℃~270℃,焦锥、纹影织构;148℃~167℃~183℃,焦锥、纹影织构;化合物5b的液晶区间及液晶织构为:121℃~137℃,层现状织构。在降温中,化合物4b出现扇形织构,最后有丝带状结晶现象;化合物5b出现了扇形的结晶。化合物4a、4b、5a、5b均为近晶型液晶。  研究表明:星型化合物的液晶型态是由其对应的液晶基元决定的;星型液晶的熔点、清亮点均比其对应的液晶基元的高,且星型液晶的液晶相变区间比其对应的液晶基元的宽;末端烷基链的长度并未对化合物的液晶型态产生影响。
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