二氧化锡纳米材料的可控制备和光催化性能研究

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二氧化锡(SnO2)作为主要N型宽禁带半导体材料,具有特殊的性能与结构,在许多方面有着广泛的应用如:透明导光电极、光催化、气敏传感器等。随着科技的进步和经济的发展,实现对二氧化锡纳米材料的可控制备,对于其各项性质参数调控也将具有重要意义和价值。  本文以水热合成法制备 SnO2纳米球和纳米花,分别通过调节反应中的反应温度、时间、反应溶剂中水与乙醇的比例和反应中MPh3SnCl/MNaOH的比值分别制备出了SnO2纳米微球与纳米花球。研究了不同反应条件对 SnO2纳米材料的形貌影响的合成条件,从而达到对其形貌结构的控制。对合成产物进行XRD、SEM测试,并对合成产物进行光催化性能的研究。以Ph3SnCl作为锡源,利用低温水热法合成前驱体,在经过500℃煅烧后得到最终产物为尺寸较小SnO2纳米颗粒,并对其进行XRD、SEM,红外吸收,紫外漫反射表征,同时对其进行光催化性能测试。结果表明,SnO2纳米颗粒与纳米花比纳米微球和球花有着较好的光催化性能。
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