Fe的不同掺杂量对ZnO光致发光的影响和ZnO/SiO2复合薄膜结构特性的研究

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随着信息技术的迅猛发展,光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一。ZnO是一种多功能的半导体材料,激子束缚能高达60meV,是一种新型的直接带隙宽带半导体。ZnO具有优异的光学、电学及压电特性,在光探测器、发光二极管、电致荧光器件、表面声波器、透明导电薄膜等诸多领域有着广泛的应用。ZnO薄膜的制备方法和表征技术主要有:磁控溅射法、脉冲激光沉积、金属有机化学气相沉积、溶胶-凝胶法和X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外分光光度计、荧光/磷光分光光度计等。磁控溅射法由于具有设备简单、成本低、易操作
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