多次烧结对快速结晶氧化锆全冠边缘适合性影响的研究及病例报告

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目的:研究多次烧结对快速结晶氧化锆全冠边缘适合性的影响。方法:以两种不同结晶方式的氧化钇稳定的四方氧化锆多晶(Yttria-stabilized Tetragonal Zirconia Polycrystal,Y-TZP)陶瓷材料制作的种植体支持式氧化锆全冠(Implant Retained Zirconia Crowns,IRZCs)为研究对象,分为传统组(赛瓷)和快速组(In Coris TZIC),每组10个IRZCs(共20个),在IRZCs完成结晶后,将其就位于描记有八个等间距标记点的种植基台上,利用体视显微镜测量IRZCs与基台的绝对边缘间隙(Absolute Marginal Discrepancy,AMD)数值,测量结束后将两组IRZCs置于烤瓷炉中使用釉瓷烧结程序进行烧结,按照同样方法再次进行AMD值测量,重复烧结与间隙测量步骤三次后得到两组IRZCs在结晶后以及一至三次烧结后的AMD值,对计量资料进行重复的独立样本t检验,以及单因素方差分析,比较传统组与快速组AMD值是否具有差异,以及多次烧结对快速结晶Y-TZP陶瓷材料制作的IRZCs边缘适合性的影响。结果:传统组与快速组的AMD值组间差异统计分析结果:结晶后以及三次烧结后,两组IRZCs的AMD均值差异无明显统计学意义,P>0.05;一次烧结与二次烧结后快速组的AMD均值小于传统组,差异具有统计学意义,P<0.05(P值分别为0.0326与0.0396)。两组计量资料分别进行组内单因素方差分析结果显示,多次烧结后,两组IRZCs的AMD值均未发现具有统计学差异的变化,P>0.05。结论:本研究以两种不同结晶方式的Y-TZP陶瓷材料制作的IRZCs为研究对象,利用体视显微镜获取样本在不同烧结次数后AMD值,对计量资料进行统计分析,在本研究条件下,得出以下结论:(1)两组结晶方式的Y-TZP制作的IRZCs的AMD值均小于以往研究报道的临床可接受的边缘间隙,快速结晶Y-TZP陶瓷材料In Coris TZIC边缘适合性略优于传统结晶Y-TZP陶瓷材料赛瓷。(2)多次烧结对快速结晶Y-TZP制作的IRZCs边缘适合性无明显影响。
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