【摘 要】
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随着航空航天、地热钻孔以及石油勘探等对温度要求很高的极端应用环境的出现,使得传统的硅基集成电路难以满足这些环境的要求。而碳化硅的禁带宽度较大,且具有良好的热导率,可以满足高温环境的需求。但是高温SiC BJT的集成电路设计还面临着各个子电路模块的温度补偿等问题。针对这些存在的问题,本文研究了不同类型外延层制作的SiC集成电阻的温度特性,分析了 SiC线性稳压器中每个子模块电路的温度依赖性,并基于子
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随着航空航天、地热钻孔以及石油勘探等对温度要求很高的极端应用环境的出现,使得传统的硅基集成电路难以满足这些环境的要求。而碳化硅的禁带宽度较大,且具有良好的热导率,可以满足高温环境的需求。但是高温SiC BJT的集成电路设计还面临着各个子电路模块的温度补偿等问题。针对这些存在的问题,本文研究了不同类型外延层制作的SiC集成电阻的温度特性,分析了 SiC线性稳压器中每个子模块电路的温度依赖性,并基于子模块的温度特性分析完成了线性稳压器的设计。最后给出了 SiC集成电路的工艺流程,并完成了 SiC BJT
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