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超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量。然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考虑版图的OPC友好性问题,从而使一些图形由于原始形状限制无法进行充分的OPC校正处理。本文提出了一种OPC友好的迷宫布线算法:在布线的同时进行快速点光强计算,来预测走线对未来OPC的影响,避免可能导致OPC失败的布线结果,同时尽可能减少OPC需要做出的校正。