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在光催化领域,TiO_2纳纳米材料是光催化活性高,研究最广泛的一种半导体。而Si掺杂的TiO_2纳米体系不仅具有很高的光催化活性,而且具有良好的热稳定性和量子尺寸效应。目前为止所报道的Si掺杂的TiO_2纳米材料都是以粉末状的形式存在,如果将Si掺杂的TiO_2纳米材料制备成电极,不仅避免了粉末光催化剂的回收问题,而且电辅助光催化可有效抑制电荷载流子的复合,从而展示出更高的光催化活性。本论文分别采用电化学沉积法和热蒸发法,在阳极氧化法制备的高度有序TiO_2纳米管阵列表面掺杂Si元素。扫