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采用反应磁控溅射方法，在(0001)蓝宝石单晶衬底上，制备了纳米多晶Gd_2O_3掺杂CeO_2(简称GDC)氧离子导体电解质薄膜，采用XRD、AFM对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征，利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能；实验结果表明，GDC薄膜为面心立方结构，在所研究的衬底温度范围内，均呈强(111)织构生长；薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化：300℃温度时，薄膜为棱形生长岛，且棱形生长岛表面平坦，呈现层状生长特征；衬底温度为400℃以上时，GDC薄膜转变