自1986年发现铜基高温超导体以来,非常规超导电性和反铁磁态之间存在关联已经成为学界共识。一个普遍接受的物理图像是母体化合物中反铁磁（AFM）基态被压制后出现的磁性涨落在超导电子配对中起到关键作用。基于这一基本思想,寻找适当的反铁磁基态的母体并设法调控其中的反铁磁态,成为探索新型超导体的有效途径。2008以来的铁基超导体的研究历程再一次证明了上述方法的有效性。因此寻找新的可能的反铁磁超导母体成为探索新型超导体的关键。2016年,我们课题组成功合成了一种新的1111型铁基超导体Th Fe As N。与绝大部分铁砷超导体不同的是,该化合物中不存在常见的反铁磁自旋密度波基态,且无需掺杂即可实现超导电性。后续研究表明,Th₂N₂层的引入产生了c轴方向内建化学压力的效应。该效应在其他含有Th₂N₂层的同构化合物中广泛存在,并可能是导致这种奇异特性的原因。据此,本论文的工作主要分为以下两个方面:一、我们成功合成了一系列含有Th₂N₂层的1111层锰基化合物Th Mn Pn N（Pn=P、As和Sb）。磁测量显示Th Mn PN、Th Mn As N样品分别在36 K、52 K时出现磁化率尖峰,但中子衍射数据表明,在室温下已经建立了C型AFM有序,表明体系发生第二次反铁磁转变。此外,磁化率和比热都表明体系中d电子出现了部分离域。这些性质在1111型锰系化合物中是相当独特的,表明Th₂N₂层引入的化学压力效应使Th Mn Pn N体系晶格中的锰离子出现反铁磁不稳定性。二、我们试图通过在Th Fe As N的砷位点掺杂磷来提高晶格中的化学压力。物性测量表明,随着磷的掺杂,晶胞呈现预期逐渐缩小的趋势。此外,在Th Fe As_1-xP_xN掺杂相图中观察到三个隔离的超导区域,这与La Fe As_1-xP_xO的掺杂相图中仅发现两个超导区域形成鲜明对比。