自从二十世纪五十年代末，世界上诞生第一只晶闸管（SCR）以来，功率半导体器件得到了广泛的应用。普通晶闸管是最常用的半导体器件，虽然近年来在中小功率的领域逐渐被电力晶体管、MOSFET、IGBT等器件所代替，但在中大功率的可控整流、逆变等领域仍有广泛应用。　　 晶闸管有很多性能参数，断态电压临界上升率dV/dt就是其中一个极其重要的参数。本文介绍了dV/dt对晶闸管工作过程中的影响，以及采用多种办法提高晶闸管的dV/dt容量，比如，采用短路发射极结构。　　 在自然换流型并联补偿晶闸管中频电源的实际应用中，我们发现了一种不同于传统的dV/dt击穿的现象。针对这种现象，我们应用了两个理论判据：第一，我们采取抑制传统dV/dt击穿的措施，但是不能消除这种现象。第二，采取将主电路与触发电路完全隔离的办法，才得以很好解决。　　 我们断定，这种dV/dt击穿不同于传统的dV/dt击穿形式，而是一种新的dV/dt击穿，并且分析了它产生的机理。并将其与传统的dV/dt击穿做比较。　　 在实际应用中晶闸管发生的dV/dt击穿现象，应该是这种外部dV/dt击穿和晶闸管传统的内部dV/dt击穿共同作用的结果。