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近年来,环境污染、能源紧缺与社会发展和人类安居之间的矛盾日益严峻,环境修复和清洁能源的开发已成为全人类所面临的亟待解决的难题。半导体光催化技术是最近几十年兴起的可以利用太阳能实现对污染物的有效降解和产氢的技术,因其操作简便、环境友好和应用前景广阔受到了越来越多的关注。溴化银(AgBr)作为传统的半导体材料,具有优良的光敏性能,但在光照下很不稳定,光腐蚀现象严重,阻碍了其在光催化方面的实际应用。目前以AgBr为主体的复合光催化剂的研究主要集中于Ag/AgBr。然而,Ag/AgBr在光催化的过程中依旧受到较为严重的腐蚀。因而,AgBr基光催化剂的性能与稳定性的研究对于AgBr基光催化剂的实际应用具有重要的意义。本文通过缓慢分解Cu(OH)2生长CuO,从而在AgBr微米颗粒表面修饰几十纳米的CuO颗粒。结果显示CuO/AgBr样品在光催化过程中反应速率常数为纯AgBr的4.3倍,对甲基橙(MO)的最终降解率达到91.2%,与纯AgBr相比光催化性能得到了明显的提高。光催化后溶液的pH值显示CuO/AgBr样品中光生空穴与Br-结合生成Br0的量明显降低,光催化后的样品没有纯AgBr明显的分解再生长现象,三次循环实验以后依旧保留了 85.1%的降解率,表明CuO/AgBr的光催化稳定性得到了明显的改善。进一步的自由基检测显示空穴在CuO/AgBr体系中起主导作用,其机制来源于CuO与AgBr紧密接触后在界面处形成p-n异质结,产生的内建电场方向由n-AgBr指向p-CuO,从而AgBr中的光生空穴能够转移到CuO中。因此,CuO/AgBr复合光催化剂的性能与稳定性的主要来源是空穴的转移。在接下来的工作中我们通过液相超声剥离块状MoS2至少数几层,并包覆在KBr的表面,然后利用离子交换法和还原法合成了 MoS2/Ag/AgBr,成功制备了 MoS2平均厚度为4nm左右的复合光催化剂。样品的相结构与微观形貌分别通过XRD和SEM进行了表征,样品中的MoS2以及层数通过激光拉曼光谱进行测定,紫外-可见吸收光谱显示MoS2/Ag/AgBr样品对光的吸收能力明显优于Ag/AgBr,光催化性能评价显示复合样品的光催化活性提高了 50%左右。在进一步的光催化机制探讨中,我们发现超薄的MoS2够转移Ag/AgBr中的光生电子,从而改善了 Ag/AgBr的光催化性能。