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氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比，ZnO薄膜具有生长温度低，激子复合能高(ZnO：60meV，GaN：21～25meV)，受激辐射阈值较低，能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外，ZnO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度