近年来由于微波技术设备向小型化、集成化以及民用方向发展,国际上展开了大规模的对微波介质材料的研究工作。随着近年来LTCC（低温共烧陶瓷）技术的广泛使用,寻找、制备与研究中高介电常数（εr>10）、低损耗（Qf>5000GHz）、近零谐振频率温度系数（TCF≈0ppm/oC）、低烧结温度（低于Ag、Cu、Au、Al等常用金属的熔点）且跟金属电极烧结匹配、低成本（不含或者含有少量贵重金属）、环保（至少无铅,尽量不含或者含有较少有毒原材料）的新型微波介质陶瓷成为了人们研究的热点。考虑到Bi基氧化物陶瓷一般具有较低烧结温度和较高介电常数等优点,本论文紧紧围绕各类Bi基氧化物陶瓷,应用固相反应烧结的方法和高能球磨的方法,通过多种离子取代以及氧化物掺杂的方式,对Bi基氧化物陶瓷的烧结温度、微波介电性能、金属电极匹配性等方面展开了研究,并尝试在陶瓷基板天线和多层共烧电容器等领域进行了原型器件设计和制作,得到了一系列兼具理论和工程应用价值的结果:本文的第一章主要从基础介质物理理论出发,首先介绍了介质中最基本的极化现象,然后进一步引申出了在微波频段下（300MHz³00GHz）电介质的介电常数、介电损耗以及温度系数的具体表征以及含义,为后续具体工作提供了有力的理论依据。接下来详细介绍了低温共烧陶瓷（LTCC）技术的发展状况,其中包括常用的导体材料以及介质材料两部分的发展状况。在第一章的结束部分阐述了本文的主要研究内容及其意义。本文的第二章主要是对Bi₂O₃-Nb₂O₅二元体系微波介质陶瓷的研究。首先通过V5+、Cu²⁺、W⁶⁺、Ta⁵⁺等离子取代的方式,应用固相反应烧结和高能球磨等制备方法,系统研究了BiNbO₄和Bi₃NbO₇配方的相形成以及降温改性,得到了介电常数介于36⁴5、Qf介于5000²0000GHz、谐振频率温度系数近零的BiNbO₄基陶瓷以及介电常数介于65⁹5、Qf介于230GHz⁵60GHz、TCF在-115^-70ppm/oC的Bi₃（Nb,Ta）O₇基陶瓷。首次研究了BiNbO₄陶瓷跟Cu电极的共烧问题,发现在N₂气氛下共烧后并没有发生反应或者渗透的情况,奠定了BiNbO₄陶瓷在LTCC中的应用基础;首次尝试使用低温烧结的BiNbO₄陶瓷作为基板,设计了二维天线阵列,HFSS软件仿真结果跟网络分析仪的实际测量结果基本符合,为高介基板在微波频段的应用做了初步探索。本文的第三章主要研究了Bi（Sb_xNb_yTa_z）O₄（x+y+z=1）三元体系的相组成、相变以及微波介电性能等问题。首次系统地研究了Bi（Sb_xNb_yTa_z）O₄（x+y+z=1）三元体系的相组成以及相变问题。将Bi（Sb_xNb_yTa_z）O₄（x+y+z=1）三元体系分为:I-单斜固溶体区域（x>0.78）;II-单斜、正交同存的区域（0.78>x>0.55）;III-正交三斜相变区域（x<0.55）三个区域（相图不随x和y的取值而发生大的变化）。从晶格结构、晶胞参数的角度出发,较为详细地阐述了三元相图中各个相区转变的过程,重点研究了在正交、三斜相变区域中正交相到三斜相之间的相变问题。发现了高温三斜相β-BiNbO₄向低温正交相α-BiNbO₄相转变现象,并确定了β-BiNbO₄陶瓷不能够稳定存在的温度范围700oC¹020oC。但该结论并不适用于粉末样品。并且在这个三元体系中开发出了一系列具有潜在应用价值的微波介质陶瓷:1080oC烧结的纯单斜相的BiSbO₄陶瓷,介电常数εr≈19.3、Qf≈70000GHz、TCF≈-62ppm/oC,不跟Ag发生明显反应;掺杂0.6wt.% ¹.2wt.%B₂O₃-CuO后930oC烧结的单斜相的BiSbO₄陶瓷,介电常数εr≈19.5、Qf≈45400GHz³3700GHz、TCF≈-65ppm/oC;960oC烧结的Bi(Sb_0.6Ta_0.4)O₄陶瓷,εr≈27、Qf≈35000GHz、TCF=-12ppm/oC;960oC烧结的Bi{Sb_0.6(Nb_0.992V_0.008)_0.4}O₄陶瓷,εr≈34.7、Qf≈16000GHz、TCF=+16.1ppm/oC。在本文的第四章中,开发并研究了Bi₂O₃-MoO₃二元体系超低温烧结微波介质陶瓷的烧结特性、微波介电性能、金属电极烧结匹配问题以及多层电容器具体应用问题。首先,从Bi₂O₃-MoO₃二元体系的相图出发,设计并制备了一系列的二元氧化物,发现在xBi₂O₃-（1-x）MoO₃中,随着x值从0.2增加到0.5,样品的成瓷温度几乎线性地从600oC增加到了750oC。当x=0.875时,其烧结温度稳定在820oC附近。整体来讲,富含MoO₃的区域比富含Bi2O3的区域具有更低的烧结温度。这个体系中有三个具有良好微波介电性能的配方组成:620oC烧结的Bi₂Mo₃O₁₂陶瓷,εr≈19、Qf≈21800GHz、TCF≈-215ppm/oC,跟Ag发生反应但是跟Al不发生反应;640oC烧结的Bi₂Mo₂O₉陶瓷,εr≈38、Qf≈12500GHz、TCF≈+31ppm/oC,跟Ag发生反应但是跟Al不发生反应;750oC烧结的Bi₂MoO₆陶瓷,εr≈31、Qf≈16700GHz、TCF≈-114ppm/oC。使用等价镧系离子La³⁺和Nd³⁺对Bi₂Mo₂O₉中的Bi3+进行取代,来调节其微波介电性能,尤其是TCF值,获得的（Bi0.8La0.2）2Mo2O9陶瓷具有近零的温度系数TCF≈-4.6ppm/oC,其介电常数εr≈32.7、Qf≈13490GHz、烧结温度为650oC。在第四章的最后一小节中,初次尝试制备了Bi₂Mo₂O₉基、Al做内电极的超低温烧结多层电容器MLCC,在645oC下成功烧结制备了Bi₂Mo₂O₉多层电容器（共六层,每层厚度约90μm,电极厚度约为12μm）以及单层电容器（层厚约50μm,电极厚度约为12μm）,这开拓了Al电极在LTCC领域中的应用。在本文的最后一章,总结了全文的重要结论并阐明了进一步的工作方向。