目前世界上多晶硅的生产主要采用改良西门子法。而我国前几年基本上还是采用传统的西门子法,最近采用我国自己改良的技术与引进俄罗斯的多晶硅生产技术相结合的生产方法。目前国内外多晶硅生产存在两个主要问题:其一,实收率低;其二,副产物多。因此,国内在提高多晶硅实收率与减少副产物等方面正酝酿着重要的技术突破。本文以多晶硅生产中SiHCl₃和SiCl₄氢化反应及尾气分离为主要研究对象。对于SiHCl₃和SiCl₄氢化反应,从认识反应过程的热力学特性入手,采用Gibbs自由能最小法,在不同的温度、压力和进料配比下对反应过程进行了模拟分析;对尾气分离过程,本文采用分段设计法对多晶硅生产中尾气的分离工艺进行优化设计,确定尾气分离过程的分离序列、流程方案和操作条件,并以能耗最小为目标,得到最合适的、操作条件温和的尾气分离流程。1、SiHCl₃氢化反应系统的热力学分析传统的SiHCl₃氢化反应生成多晶硅工艺一般是在温度1373K、压力为常压、H₂/SiHCl₃比为10/1下进行,实收率低,且有大量副产物生成。以提高实收率和减少副产物为目标,提出了新的SiHCl₃氢化工艺。主要创新点如下:（1）传统的SiHCl₃氢化反应采用Gibbs自由能最小法对传统的SiHCl₃氢化反应进行热力学分析,发现高温、高H₂/ SiHCl₃比有利于多晶硅的生成。适当提高反应的温度和H₂/ SiHCl₃比,多晶硅的平衡产率可以达到98%以上,而副产物SiCl₄和SiH₂Cl2的平衡产率则降至0.5%以下。另外,多晶硅的生产适宜在低压下进行。在10.13KPa压力下多晶硅的平衡产率几乎达到了100%,而副产物SiH₂Cl2和SiCl₄的平衡产率极小,所以SiHCl₃氢化反应可以在低压下操作。（2）无SiCl₄生成的SiHCl₃氢化反应传统的SiHCl₃氢化反应有大量的副产物SiCl₄生成,处理不当会对环境造成严重的污染。通过模拟可以发现,在进料中加入一定量的SiCl₄,来抑制SiCl₄的生成,使反应前后SiCl₄的量不变,且提高了反应体系的热效应。无副产物SiCl₄生成的SiHCl₃氢化反应体系同样也适宜在高温低压下操作。2、SiCl₄氢化反应系统的热力学分析（1） SiCl₄转化系统根据SiCl₄氢化反应的理论基础归纳出氢气直接氢化和以硅做添加剂两种氢化方法,并分别对这两种方法进行了热力学分析。在直接氢化反应体系中SiCl₄的转化率和SiHCl₃的平衡产率随温度和H₂/SiCl₄比的升高而升高;在以硅为添加剂氢化反应系统中,SiCl₄的转化率和SiHCl₃的平衡产率随温度的升高而降低,随压力和H₂/SiCl₄比的升高逐渐升高。因此SiCl₄转化系统要谨慎选择适宜的温度、压力和H₂/SiCl₄比。（2）超高温下SiCl₄氢化反应生产多晶硅传统的SiCl₄氢化生产多晶硅的反应一般是在温度为1473K,压力为常压下进行,一次转换率低,能耗高。通过热力学分析得出在超高温、低压、高H₂/SiCl₄比下,SiCl₄的转化率高、供给热量利用效率高、多晶硅的平衡产率可以达到近100%。基于此,我们提出了低压、超高温条件下SiCl₄还原生产液态多晶硅的新工艺。3、多晶硅生产中尾气分离系统的优化设计本文针对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺操作条件苛刻的缺点,对尾气分离工艺进行改进。采用分段设计方法,将精馏、吸收、吸附等不同分离方法进行组合,确定分离尾气混合物的分离序列,并构建了可行的工艺流程。模拟结果表明:整个流程可在比较温和的操作条件下达到较好的分离效果,且设备简单,易于操作。