基于光电器件活性层聚噻吩/ZnO杂化体系异质结的制备与研究

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近年来,由于导电聚合物光学器件其分子结构可以自行设计合成、加工容易、毒性小、成本低、可以制备大面积轻盈薄膜等优点,有机/无机杂化光学器件被人们广泛研究。将具有高迁移率的无机半导体纳米晶引入到共轭聚合物体系中,制作的无机纳米晶/共轭聚合物杂化光学器件综合了两种材料的优点:既利用了无机纳米晶载流子迁移率高、化学稳定性好的特点;又保留了高分子良好的柔韧性和可加工性。传统无机纳米晶/共轭聚合物杂化材料制备方法是物理共混法:先通过有机金属法、溶胶凝胶法等方法在有机溶剂中合成不同粒径和形貌的无机纳米
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