ITO薄膜的水热法制备与性能研究

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本研究的重点是以铟锡氯化物水溶液为前驱物,氨水为沉淀剂,采用水热法在载玻片衬底上制备了ITO薄膜。利用SEM、EDS、椭偏测厚仪、四探针电阻率仪、紫外-可见分光光度计等分析手段对所制得的ITO薄膜的表面形貌、表面元素、膜厚和折射率等进行了分析和表征,研究了膜厚和折射率与前驱物浓度、氨水浓度、反应温度、保温时间以及镀膜次数之间的关系,并利用XRD、DTA等分析测试手段对与薄膜同系统生成的ITO粉体的晶向组成等性质进行了研究,讨论了晶粒尺寸与前驱物、反应温度、保温时间之间的关系。结果表明:在前驱物浓度为0.3~0.7mol/l,在温度为140~180℃的水热条件下保温4~8小时,所制备的薄膜厚度为196.3~201.3nm,折射率为2.45~2.51,膜均匀、致密、无可视缺陷;增加前驱物浓度、增大氨水浓度、延长保温时间及适当增加镀膜次数,有利于薄膜厚度的增加;与薄膜同系统生成的粉体为体心立方锰铁矿型,粒径为23~44nm,随着前驱物浓度的增大,氨水浓度的增大,保温温度的升高,保温时间的延长,晶体粒径增大。目前常用的制备ITO薄膜的磁控溅射法通常是在有氧环境下进行,本研究采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,wt%)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响。结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大。当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm。溶胶-凝胶法制备ITO薄膜通常采用有机醇盐为前驱物,溶于有机溶剂中进行镀膜,因此成本较高。本实验采用与水热法制备ITO薄膜相同的、价格低廉的无机盐为原料,进行性能对比。
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