【摘 要】
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本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法深入研究了低温合成金刚石薄膜过程中电子的角分布以及电子的复合过程的影响，并且首次对以H_2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟。主要结果如下：(1)研究了电子在雪崩碰撞和分解电离后的角分布情况，结果表明基片附近电子的散射以大角散射为主，在维持辉光放电的条件下，较高的偏压
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本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法深入研究了低温合成金刚石薄膜过程中电子的角分布以及电子的复合过程的影响，并且首次对以H_2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟。主要结果如下：(1)研究了电子在雪崩碰撞和分解电离后的角分布情况，结果表明基片附近电子的散射以大角散射为主，在维持辉光放电的条件下，较高的偏压和工作气压对金刚石的横向连续成膜是有益的；(2)考虑了低温合成金刚石薄膜过程中电子与各种碎片粒子的复合过
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