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CuInS2材料是直接带隙半导体,禁带宽度为1.50eV,接近太阳光吸收的最佳带隙1.45eV,具有105cm1数量级的光吸收系数,是理想的太阳能电池吸收层材料之一。本文研究了采用固态硫源硫化法制备CuInS2薄膜及其光电特性的影响因素,采用磁控溅射法制备Cu-In合金预制膜,硫化Cu-In合金预制膜得到CuInS2薄膜。采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),能谱分析(EDS),紫外可见光谱(UV-vis)和霍尔效应测试(Hfall effect measurement)对薄膜进行了表征和性